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              犧牲層腐蝕技術制造的帶場效應管的納米梁諧振器
              

                                    
              
                                        
              發布日期：2010/4/12 8:41:12
              


                                        
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  本發明的目的是提供一種低成本、適應檢測的犧牲層腐蝕技術制造的帶場效應管的納米梁諧振器，這種納米梁諧振器制作工藝簡單，與納機電器件工藝兼容，而且可與靜電驅動配合實現納米梁諧振器的結構、驅動及檢測三者全集成。而且不管梁的尺寸如何改變，這種方法均是適用的。本發明的上述目的是采用如下技術方案予以實現的：包含納米梁諧振器及其金屬電極，所述納米梁諧振器是在絕緣層上硅材料上用犧牲層腐蝕技術制造出的，利用犧牲層腐蝕技術控制納米梁長度，在納米梁兩端進行摻雜形成p–i–p或n–i–n溝道結構，作為場效應管溝道的納米梁，襯底硅作為場效應管的柵電極。本發明的實施，可以為今后納米梁諧振器降低成本、推廣應用范圍起到很好的作用。
              
                                      
              
                                    
                                    
                                    
                                    
              
                                        
              
                                            
                                               
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