設備名稱:電感耦合等離子體刻蝕機
儀器型號:ICP ASE
所屬單位:西北工業大學-微/納米實驗室
設備原值:35 萬元
制造廠商:英國STS公司
生產國別:英國
當前狀態:對外服務
儀器設備詳細指標
主要技術指標 0 微米深硅刻蝕 約 2.5 微米獨立汽坑寬 大于 1 微米光刻膠掩膜厚度或大約 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圓形的硅暴露面積小于 10% 刻蝕速度 >2 微米/分鐘 光刻膠的選擇比: >50 : 1 SiO2 的選擇比 >100 : 1邊壁角度 : 90± 1 度
功能/應用范圍 主要用于硅材料的深槽刻蝕,同時又兼顧MEMS表面工藝中的淺硅刻蝕。
服務領域 農/林/牧/漁 輕工/紡織 石油/石化 食品/煙草 地質/礦產 礦業/冶金 鋼鐵/有色金屬 水文氣象 非金屬/珠寶 橡膠/塑料(材料) 通信/郵政 機械制造 醫療/衛生 生物/醫藥 地質勘探 電氣工程 儀器/儀表 航空/航天 電子/信息技術 交通/運輸(公路/鐵路) 環保/水利/氣象/天文 其它
技術特色
服務情況及收費標準
對外服務(平均機時/年)
收費標準(元/樣品)
聯系方式
聯系人 馬志波
聯系電話 029-88495102-8031
傳真 029-88495102
電子郵件 zbma@nwpu.edu.cn
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