通遼科技大市場暨內蒙古東部常設技術市場

[發明公布] 具有靜電保護結構的功率器件及其制作方法

申請公布號：CN104300000A

申請公布日：2015.01.21

申請號：2014105905147

申請日：2014.10.29

申請人：深圳市可易亞半導體科技有限公司

發明人：趙喜高

地址：518000廣東省深圳市福田區車公廟天吉大廈CD座5C1

摘要： 本發明公開一種具有靜電保護結構的功率器件及其制作方法，所述具有靜電保護結構的功率器件包括：漂移層、漏區、漏極、P-摻雜區、第一N+摻雜區、P+摻雜區、第一絕緣膜、第二絕緣膜、多晶硅層、柵極、靜電保護層、第三絕緣膜、源極、靜電電極及導線層，所述靜電保護層包括數個第二P-摻雜區以及數個第二N+摻雜區，所述數個第二P-摻雜區與數個第二N+摻雜區相間排列。本發明通過在內部設置數個相間排列的P-摻雜區與第二N+摻雜區，以形成一靜電保護層—齊納二極管結構，這樣就可以去除靜電安全電路等在電源模組內所占的空間，無需再另外設置靜電保護結構，提高電源模組的空間效率，減少布線數量以及一些寄生參數，實現高效功率器件。