通遼科技大市場暨內蒙古東部常設技術市場

[發明公布] 一種薄膜晶體管及其制造方法、光刻工藝

申請公布號：CN104300002A

申請公布日：2015.01.21

申請號：201310296765X

申請日：2013.07.15

申請人：信利半導體有限公司

發明人：肖雙喜; 任思雨; 于春崎; 胡君文; 何基強; 李建華

地址：516600廣東省汕尾市城區東沖路北段工業區信利半導體有限公司

摘要： 本發明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、光刻工藝，所述光刻工藝使用半灰階掩膜板進行曝光，曝光顯影后，依次去除半灰階掩膜板的第一區域對應的膜層A、半灰階掩膜板的第一區域對應的膜層B和半灰階掩膜板的第三區域對應的膜層A，完成刻蝕。此種光刻工藝只需經過一次通過半灰階掩膜板的曝光，就能滿足對膜層A和膜層B的刻蝕要求，可以減少光刻工藝的制程，從而達到簡化光刻工藝的目的，降低制作成本。當應用此種光刻工藝制作薄膜晶體管時，可以將薄膜晶體管的制作工藝由六次光刻簡化為四次光刻，簡化了薄膜晶體管的制作方法，降低了薄膜晶體管的制作成本。