通遼科技大市場暨內蒙古東部常設技術市場

[發明公布] 帶有應變源的GeSn紅外探測器

申請公布號：CN104300013A

申請公布日：2015.01.21

申請號：2014101855295

申請日：2014.05.05

申請人：重慶大學

發明人：劉艷; 韓根全; 張慶芳; 王軼博

地址：400030重慶市沙坪壩區沙正街174號

摘要： 本發明提供一種帶有應變源的GeSn紅外探測器，其結構為：在n+型襯底101上面為n型GeSn弛豫層102，弛豫層上面的SiGe應變源陣列104生長在GeSn光吸收陣列103的光吸收單元的周圍區域，GeSn光吸收陣列的頂部為p+型GeSn金屬接觸陣列105，應變源陣列的頂部為p+型SiGe金屬接觸陣列106，第一電極107環繞在探測器的光照區金屬接觸陣列之上，第二電極108在n+型襯底之上。其中應變源陣列104的材料的晶格常數比光吸收陣列103的材料小，形成對光吸收區的應變，該應變在xy平面內為雙軸張應變，在z方向為單軸壓應變。這種應變有利于GeSn溝道Γ點下移，使直接帶隙EgΓ寬度減小，從而展寬探測器的光響應范圍。