一種自支撐膜堆疊電極及其制備方法和一種贗電容超級電容器

【發明專利】  【發明專利申請】  【事務數據】

授權公告號：CN110176362B

授權公告日：2020.10.20

申  請  號：201910530160X

申  請  日：2019.06.19

同一申請的已公布的文獻號：CN110176362A

申請公布日：2019.08.27

專 利 權人：內蒙古民族大學

地      址：028000內蒙古自治區通遼市科爾沁區霍林河大街西536號

發  明  人：劉景海；吉磊；段莉梅

專利代理機構：北京高沃律師事務所11569

代  理  人：劉瀟

摘      要：本發明涉及超級電容器技術領域，提供了一種自支撐膜堆疊電極及其制備方法和一種贗電容超級電容器。本發明的自支撐膜堆疊電極由自支撐膜堆疊得到，自支撐膜中的電極活性材料為氧氮化碳。發明通過自支撐膜的層層疊加來增加電極活性材料的負載量，不會出現開裂和難以成膜的問題。利用上述自支撐膜堆疊電極構筑贗電容超級電容器，可以有效提高電極的單位質量和活性材料負載量、不需要集流體，能有效提高贗電容超級電容器的容量和能量功率輸出，有助于推動贗電容電容器朝向高容量、高功率和長循環使用壽命的方向發展，本發明首次實現了將氧氮化碳作為電極活性材料應用于超級電容器中，為氧氮化碳在贗電容超級電容器中的應用提供了途徑。